Reflektierende Fotomaske und Reflexionstyp-Maskenrohling

• Main Authors: Schedel, Thorsten, Bender, Markus
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 08.10.2020
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

Reflektierende Fotomaske, umfassend:ein Substrat (110), das eine Substratschicht (115) eines Materials mit niedriger thermischer Ausdehnung hat, wobei die Substratschicht (115) einen Hauptteil (112) einer ersten strukturellen Konfiguration und einen Hilfsteil (111) einer zweiten strukturellen Konfiguration des Materials mit niedriger thermischer Ausdehnung umfasst, wobei der Hilfsteil (111) in einem Rahmenabschnitt (220) gebildet ist, der einen Musterabschnitt (211) des Substrates (110) umgibt, undeinen Mehrschichtspiegel (125), der auf einer ersten Oberfläche des Substrates (110) gebildet ist, wobei bei einer Belichtungswellenlänge unterhalb 15 nm ein Reflexionsgrad des Mehrschichtspiegels (125) wenigstens 50 % beträgt und wobei ein sich durch den Mehrschichtspiegel (125) erstreckender Rahmentrench (310) das Substrat (110) in dem Rahmenabschnitt (220) freilegt. A reflective photomask includes a substrate with a substrate layer of a low thermal expansion material. The substrate layer includes a main portion of a first structural configuration and an auxiliary portion of a second structural configuration of the low thermal expansion material. The auxiliary portion is formed in a frame section surrounding a pattern section of the substrate. A multilayer mirror is formed on a first surface of the substrate. A reflectivity of the multilayer mirror is at least 50% at an exposure wavelength below 15 nm. A frame trench extending through the multilayer mirror exposes the substrate in the frame section. The auxiliary portion may include scatter centers for out-of-band radiation.