REFLEKTIERENDE FOTOMASKE UND REFLEXIONSTYP-MASKENROHLING

Eine reflektierende Fotomaske umfasst ein Substrat (110) mit einer Substratschicht (115) eines Materials mit niedriger thermischer Ausdehnung. Die Substratschicht (115) umfasst einen Hauptteil (112) einer ersten strukturellen Konfiguration und einen Hilfsteil (111) einer zweiten strukturellen Konfig...

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Main Authors Schedel, Thorsten, Bender, Markus
Format Patent
LanguageGerman
Published 01.12.2016
Subjects
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
CINEMATOGRAPHY
ELECTROGRAPHY
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
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Summary:Eine reflektierende Fotomaske umfasst ein Substrat (110) mit einer Substratschicht (115) eines Materials mit niedriger thermischer Ausdehnung. Die Substratschicht (115) umfasst einen Hauptteil (112) einer ersten strukturellen Konfiguration und einen Hilfsteil (111) einer zweiten strukturellen Konfiguration des Materials mit niedriger thermischer Ausdehnung. Der Hilfsteil (111) ist in einem Rahmenabschnitt (220) gebildet, der einen Musterabschnitt (211) des Substrates (110) umgibt. Ein Mehrschichtspiegel (125) ist auf einer ersten Oberfläche des Substrates (110) gebildet. Ein Reflexionsgrad des Mehrschichtspiegels (125) ist wenigstens 50% bei einer Belichtungswellenlänge unter 15 nm. Ein Rahmentrench (310), der sich durch den Mehrschichtspiegel (125) erstreckt, legt das Substrat (110) in dem Rahmenabschnitt (220) frei. Der Hilfsteil (111) kann Streuzentren für eine Out-of-Band-Strahlung umfassen. A reflective photomask includes a substrate with a substrate layer of a low thermal expansion material. The substrate layer includes a main portion of a first structural configuration and an auxiliary portion of a second structural configuration of the low thermal expansion material. The auxiliary portion is formed in a frame section surrounding a pattern section of the substrate. A multilayer mirror is formed on a first surface of the substrate. A reflectivity of the multilayer mirror is at least 50% at an exposure wavelength below 15 nm. A frame trench extending through the multilayer mirror exposes the substrate in the frame section. The auxiliary portion may include scatter centers for out-of-band radiation.
Bibliography:Application Number: DE201510108569