Verfahren zum Erzeugen von Dotierbereichen in einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelementes

• Main Authors: HERMLE, MARTIN, BENICK, JAN, SCHROF, JULIAN, MÜLLER, RALPH, REICHEL, CHRISTIAN
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 11.02.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen von Dotierbereichen in einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelementes, indem zumindest ein Dotierbereich eines ersten Dotierungstyps durch Einbringen eines ersten Dotierstoffs des ersten Dotierungstyps und zumindest ein Dotierbereich eines zweiten Dotierungstyps durch Einbringen eines zweiten Dotierstoffs des zweiten Dotierungstyps erzeugt werden, wobei erster und zweiter Dotierungstyp entgegengesetzt sind. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren folgende Verfahrensschritte umfasst: A Implantieren des ersten Dotierstoffs in zumindest einen Implantationsbereich in der Halbleiterschicht, welcher Implantationsbereich an eine erste Seite der Halbleiterschicht grenzt; B Aufbringen einer Dotierschicht, welche den zweiten Dotierstoff enthält mittelbar oder unmittelbar zumindest auf die erste Seite der Halbleiterschicht; C Mittels Wärmeeinwirkung gleichzeitiges Eintreiben des zweiten Dotierstoffs aus der Dotierschicht in die Halbleiterschicht zur Erzeugung zumindest des zweiten Dotierbereiches und einer oder mehrere der Vorgänge - Zumindest teilweise Aktivierung des implantierten Dotierstoffs im Implantationsbereiches und/oder - Zumindest teilweise Ausheilung von durch die Implantation erzeugten Kristallschäden in der Halbleiterschicht und/oder - Eintreiben des ersten Dotierstoffs aus dem Implantationsbereich zur Erzeugung des ersten Dotierbereichs, wobei in Verfahrensschritt A der Implantationsbereich als Diffusionsbarriere für den zweiten Dotierstoff ausgebildet ist. The invention relates to a method for producing doping regions in a semiconductor layer of a semiconductor component, wherein the method includes the following steps: A) implanting a first dopant of a first doping type into at least one implantation region in the semiconductor layer, which implantation region adjoins a first side of the semiconductor layer; B) applying a doping layer, which contains a second dopant of a second doping type, indirectly or directly at least to the first side of the semiconductor layer, wherein the first and the second doping type are opposite; C) by the effect of heat, simultaneously driving the second dopant from the doping layer into the semiconductor layer and performing one or more of the processes of at least partially activating the implanted dopant in the implantation region and/or performing at least partial recovery of crystal damage in the semiconductor layer, which crystal damage was produced by the implantation, and/or driving in the first dopant from the implantation region.