Bauteil mit zwei Halbleiter-Bauelementen, zwischen denen mindestens zwei hermetisch dichte Kavernen mit unterschiedlichen Innendrücken ausgebildet sind, und Verfahren zum Herstellen eines solchen Bauteils
Zur gezielten Beeinflussung des Innendrucks innerhalb einer Kaverne (2) zwischen zwei Bauelementen (10, 20) eines Bauteils (100) wird vorgeschlagen, ein Gettermaterial (25) oder ein ausgasende Material in einer zusätzlichen Kaverne (3) zwischen den beiden Bauelementen (10, 20) anzuordnen. Nach dem B...
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Format | Patent |
Language | German |
Published |
17.12.2015
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Summary: | Zur gezielten Beeinflussung des Innendrucks innerhalb einer Kaverne (2) zwischen zwei Bauelementen (10, 20) eines Bauteils (100) wird vorgeschlagen, ein Gettermaterial (25) oder ein ausgasende Material in einer zusätzlichen Kaverne (3) zwischen den beiden Bauelementen (10, 20) anzuordnen. Nach dem Bondprozess, in dem die beiden Bauelemente (10, 20) miteinander verbunden werden, soll diese zusätzliche Kaverne (3) noch über eine Anschlussöffnung (33) mit der Kavernen (2) verbunden sein. Das Gettermaterial (25) bzw. das ausgasende Material wird dann aktiviert, so dass Gase in der zusätzlichen Kaverne (3) und der angeschlossenen Kaverne (2) gebunden werden bzw. eine Ausgasung erfolgt. Erst wenn sich in der angeschlossenen Kaverne (2) der angestrebte Innendruck eingestellt hat, wird die Anschlussöffnung (33) zu der zusätzlichen Kaverne (2) verschlossen. Auf diese Weise wird das Gettermaterial (25) bzw. das ausgasende Material lediglich zur Einstellung eines definierten Innendrucks verwendet, hat aber im laufenden Betrieb des Bauteils (100) keinen Einfluss mehr auf den Innendruck innerhalb der Kaverne (2). |
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Bibliography: | Application Number: DE201410210857 |