Verfahren zum Entfernen einer dielektrischen Schicht von einem Boden eines Grabens

Verfahren (100) zum Entfernen einer dielektrischen Schicht (122) von einem Boden (124) eines Grabens (120), während die dielektrische Schicht auf Seitenwänden (130) des Grabens (120) aufrechterhalten wird, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst:Bereitstellen eines Substrats (126), wobei der G...

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Main Authors Brencher, Lothar, Moritz, Carsten
Format Patent
LanguageGerman
Published 07.06.2018
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Summary:Verfahren (100) zum Entfernen einer dielektrischen Schicht (122) von einem Boden (124) eines Grabens (120), während die dielektrische Schicht auf Seitenwänden (130) des Grabens (120) aufrechterhalten wird, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst:Bereitstellen eines Substrats (126), wobei der Graben (120) in dem Substrat geformt ist, wobei der Boden (124) des Grabens und die Seitenwände (130) des Grabens mit der dielektrischen Schicht (122) bedeckt sind, wobei die dielektrische Schicht Nitrid aufweist;Ätzen (102) der dielektrischen Schicht (122) am Boden (124) des Grabens (120) und Erzeugen einer Passivierungsschicht (140) auf der dielektrischen Schicht (122) am oberen Abschnitt (136) des Grabens durch Einstellen von Bedingungen eines Plasmaätzprozesses auf einen ersten Modus; undÄtzen (104) der dielektrischen Schicht (122) am Boden (124) des Grabens (120) und Ätzen der Passivierungsschicht (140) am oberen Abschnitt (136) des Grabens durch Einstellen der Bedingungen des Plasmaätzprozesses auf einen zweiten Modus, bevor die dielektrische Schicht am Boden des Grabens vollständig entfernt ist. Embodiments provide a method for removing a dielectric layer from a bottom of a trench while maintaining the dielectric layer on sidewalls of the trench. The method includes etching the dielectric layer at the bottom of the trench and generating a passivation layer on the dielectric layer at an upper portion of the trench by adjusting the conditions of a plasma etch process to a first mode; and a step of etching the dielectric layer at the bottom of the trench and etching the passivation layer at the upper portion of the trench by adjusting the conditions of the plasma etch process to a second mode before the dielectric layer at the bottom of the trench is completely removed.
Bibliography:Application Number: DE201310221228