Verfahren zum Betreiben eines chemisch sensitiven Feldeffekttransistors

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines chemisch sensitiven Feldeffekttransistors (1), dadurch gekennzeichnet, dass der Feldeffekttransistor (1) mit elektrischen Pulsen betrieben wird, deren zeitlicher Abstand (TA) voneinander größer als die Dauer (TP) jedes einzelnen elektrischen P...

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Main Authors GUILLEN, FRANCISCO HERNANDEZ, GRAF, JUERGEN
Format Patent
LanguageGerman
Published 16.04.2015
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
MEASURING
PHYSICS
SEMICONDUCTOR DEVICES
TESTING
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Summary:Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines chemisch sensitiven Feldeffekttransistors (1), dadurch gekennzeichnet, dass der Feldeffekttransistor (1) mit elektrischen Pulsen betrieben wird, deren zeitlicher Abstand (TA) voneinander größer als die Dauer (TP) jedes einzelnen elektrischen Pulses gewählt wird. The disclosure relates to a method for operating a chemically sensitive field-effect transistor, characterized in that the field effect transistor is operated with electrical pulses, the time interval between said pulses being selected to be greater than the duration of each individual electrical pulse.
Bibliography:Application Number: DE201310220848