Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterchips

• Main Authors: Plößl, Andreas, Zull, Heribert
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 24.12.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine erste Halbleiterschicht (21) eines ersten Leitungstyps und eine zweite Halbleiterschicht (22) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps aufweist, und mit einem Träger (5), auf dem der Halbleiterkörper (2) angeordnet ist, wobei- im Träger (5) ein pn-Übergang (55) ausgebildet ist;- der Träger (5) auf einer dem Halbleiterkörper (2) abgewandten Rückseite (501) einen ersten Kontakt (61) und einen zweiten Kontakt (62) aufweist;- der aktive Bereich (20) und der pn-Übergang (55) über den ersten Kontakt (61) und den zweiten Kontakt (62) bezüglich der Durchlassrichtung antiparallel zueinander verschaltet sind;- der pn-Übergang (55) vollflächig im Träger (5) zwischen einem ersten Teilbereich (51) des Trägers (5) und einem zweiten Teilbereich (52) des Trägers (5) ausgebildet ist, wobei der erste Teilbereich (51) zwischen dem Halbleiterkörper (2) und dem zweiten Teilbereich (52) angeordnet ist; und- der Träger (5) eine Öffnung (57) aufweist, die sich von der Rückseite (501) des Trägers (5) durch den zweiten Teilbereich (52) hindurch erstreckt und in dem ersten Teilbereich (51) endet, wobei der erste Teilbereich (51) über die Öffnung (57) elektrisch kontaktiert ist. A radiation-emitting semiconductor chip having a semiconductor body including a semi-conductor layer sequence having an active region that generates radiation, a first semiconductor layer of a first conductor, and a second semiconductor layer of a second conductor different from the first conductor, and having a carrier on which the semiconductor body is arranged, wherein a pn junction is formed in the carrier, the carrier has a first contact and a second contact on a rear side facing away from the semiconductor body, and the active area and the pn junction connect to one another in antiparallel in relation to the forward-bias direction by the first contact and the second contact.