Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Halbleiterbauelement (1, 2, 3) basierend auf Elementen der Gruppe-III-Nitride auf einem Hetero- oder Homosubstrat (100, 200, 300) oder einer Gruppe-III-Nitrid-Pufferschicht (100', 200', 300'), gekennzeichnet durch eine mindestens einmal wechselnde Polarität der Gruppe-III-Nitrid-Schic...

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Main Authors WIENEKE, MATTHIAS, NEUGEBAUER, SILVIO, DADGAR, ARMIN, KROST, ALOIS
Format Patent
LanguageGerman
Published 01.10.2015
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:Halbleiterbauelement (1, 2, 3) basierend auf Elementen der Gruppe-III-Nitride auf einem Hetero- oder Homosubstrat (100, 200, 300) oder einer Gruppe-III-Nitrid-Pufferschicht (100', 200', 300'), gekennzeichnet durch eine mindestens einmal wechselnde Polarität der Gruppe-III-Nitrid-Schicht im Bauelement (1, 2, 3) oder von benachbarten Bauelementen durch eine lokale Beschichtung des Substrats oder der Gruppe-III-Nitrid-Pufferschicht mit einem bei Herstellungstemperatur nicht schmelzenden Metall, wobei das nichtschmelzende Metall Ruthenium ist.
Bibliography:Application Number: DE201310109698