Vorrichtung, Bauteil und Verfahren für die Ausbildung einer Verbindungsstruktur

• Main Authors: Chang, Tzong-Shen, Chen, Kuang-Hsin, Tien, Bor-Zen, Song, Jhu-Ming, Lin, Mu-Yi, Lin, Hsuan-Han
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 10.11.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Vorrichtung, die aufweist: eine Metallleitung (212) aus einem ersten leitfähigen Material, die über einem Substrat (102) ausgebildet ist; eine dielektrische Schicht (302), die über der Metallleitung (212) ausgebildet ist, wobei die dielektrische Schicht (302) ein Pad (802) umfasst, und wobei das Pad (802) aus einem zweiten leitfähigen Material ausgebildet ist; eine erste Sperrschicht (502), die zwischen der Metallleitung (212) und dem Pad (802) ausgebildet ist, wobei die erste Sperrschicht (502) mit Hilfe eines atomaren Schichtabscheidungsprozesses abgeschieden ist; und eine zweite Sperrschicht (602), die über der ersten Sperrschicht (502) ausgebildet ist, wobei die erste Sperrschicht (502) mit Erde verbunden ist, wenn die zweite Sperrschicht (602) über der ersten Sperrschicht (502) abgeschieden wird. An apparatus includes a plurality of interconnect structures over a substrate, a dielectric layer formed over a top metal line of the plurality of interconnect structures, a first barrier layer on a bottom and sidewalls of an opening in the dielectric layer, wherein the first barrier layer is formed of a first material and has a first thickness, a second barrier layer over the first barrier layer, wherein the second barrier layer is formed of a second material different from the first material and has a second thickness and a pad over the second barrier layer, wherein the pad is formed of a third material.