Verfahren zum Ausbilden von Halbleiterbauelementen

Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:* Ausbilden von Öffnungen (60) in einem Substrat (10);* Ausbilden eines Dummyfüllmaterials (70) in den Öffnungen (60), wobei das Dummyfüllmaterial flourierter Kohlenstoff ist;* Dünnen des Substrats (10), um d...

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Main Authors Kahn, Markus, Denifl, Guenter, Stranzl, Gudrun, Zgaga, Martin
Format Patent
LanguageGerman
Published 27.07.2023
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:* Ausbilden von Öffnungen (60) in einem Substrat (10);* Ausbilden eines Dummyfüllmaterials (70) in den Öffnungen (60), wobei das Dummyfüllmaterial flourierter Kohlenstoff ist;* Dünnen des Substrats (10), um das Dummyfüllmaterial (70) in den Öffnungen (60) freizulegen und* Vereinzeln des Substrats (10) durch Entfernen des Dummyfüllmaterials (70) in den Öffnungen (60). In one embodiment, a method of forming a semiconductor device includes forming openings in a substrate. The method includes forming a dummy fill material within the openings and thinning the substrate to expose the dummy fill material. The dummy fill material is removed.
Bibliography:Application Number: DE201310104048