Ätzzusammensetzung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung, in welcher die Ätzzusammensetzung eingesetzt wird

• Main Authors: CHO, SUNG-HYUK, KIM, GYU-HYUN, LIM, JUNG-HUN, LEE, JIN-UK, HAN, JI-HYE, JUNG, CHAN-KEUN, PARK, JAE-WAN, HONG, KWON, PARK, HYUNG-SOON
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 20.06.2013
• Subjects: ADHESIVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; DYES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; PAINTS; POLISHES; SEMICONDUCTOR DEVICES

Die vorliegende Erfindung stellt eine Ätzzusammensetzung, die eine Silylphosphatverbindung, Phosphorsäure und entionisiertes Wasser enthält, sowie ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiters, welches einen Ätzprozess umfasst, bei dem die Ätzzusammensetzung verwendet wird, bereit. Die Ätzzusammensetzung der Erfindung zeigt eine - gegenüber einem Oxidfilm - hohe Ätzselektivität für einen Nitridfilm. Wenn die Ätzzusammensetzung der vorliegenden Erfindung zum Entfernen eines Nitridfilms verwendet wird, kann daher die effektive Feldhöhe (EFH) des Oxids leicht gesteuert werden, indem die Ätzrate des Oxidfilms gesteuert wird. Daneben kann eine Abnahme der elektrischen Eigenschaften, die durch eine Beschädigung eines Oxidfilms oder durch Ätzen des Oxidfilms verursacht wird, verhindert werden und es kann die Erzeugung von Teilchen verhindert werden, wodurch die Stabilität und die Zuverlässigkeit des Ätzprozesses gewährleistet werden können. The present invention provides an etching composition, comprising a silyl phosphate compound, phosphoric acid and deionized water, and a method for fabricating a semiconductor, which includes an etching process employing the etching composition. The etching composition of the invention shows a high etching selectivity for a nitride film with respect to an oxide film. Thus, when the etching composition of the present invention is used to remove a nitride film, the effective field oxide height (EEH) may be easily controlled by controlling the etch rate of the oxide film. In addition, the deterioration in electrical characteristics caused by damage to an oxide film or etching of the oxide film may be prevented, and particle generation may be prevented, thereby ensuring the stability and reliability of the etching process.