Mikromechanische Struktur und entsprechendes Herstellungsverfahren
Mikromechanische Struktur mit:einem Substrat (1, 1a), welches eine Oberseite (O) aufweist und mindestens einen in die Oberseite (O) eingebrachten Piezowiderstandsstreifen (P1, P2; PW) aufweist;wobei der Piezowiderstandsstreifen (P1, P2; PW) zumindest bereichsweise durch mindestens einen lateral angr...
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Format | Patent |
Language | German |
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20.08.2020
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Summary: | Mikromechanische Struktur mit:einem Substrat (1, 1a), welches eine Oberseite (O) aufweist und mindestens einen in die Oberseite (O) eingebrachten Piezowiderstandsstreifen (P1, P2; PW) aufweist;wobei der Piezowiderstandsstreifen (P1, P2; PW) zumindest bereichsweise durch mindestens einen lateral angrenzenden STI-Graben (T1-T3; T1'-T3'; T1"-T3"; T1 "'- T3"'; T) isoliert ist; undwobei der mindestens eine STI-Graben (T1-T3; T1'-T3'; T1"-T3"; T1 "'- T3"'; T) (STI = Shallow Trench Isolation) tiefer in die Oberseite (O) des Substrats (1, 1a) eingebracht ist als der Piezowiderstandsstreifen (P1, P2; PW),dadurch gekennzeichnet, dassdas Substrat (1, 1a) einen ersten Bereich (1) eines ersten Leitungstyps (p) und einen darüber befindlichen zweiten Bereich des zweiten Leitungstyps (n) aufweist, welcher die Oberseite (O) bildet und eine erste Tiefe (d) aufweist, und wobei der mindestens eine Piezowiderstandsstreifen (P1, P2; PW) den ersten Leitungstyp (p) aufweist.
The micromechanical structure has a substrate (1,1a) with an upper side (O) in which piezo-resistive strips (P1,P2) are introduced. The piezo-resistive strip is isolated in specific areas by laterally adjacent shallow trench isolation (STI) trench (T1-T3). The STI trench is lower in the upper side of the substrate in which piezo-resistive strips are introduced. The substrate comprises a p-type conductivity region over which an n-type conductivity region is arranged. An independent claim is included for a manufacturing method of a micromechanical structure. |
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Bibliography: | Application Number: DE201210215262 |