Bulkakustikresonator, der eine nicht-piezoelektrische Schicht aufweist

• Main Authors: Nikkel, Phil, Handtmann, Martin, Shirakawa, Alexandre, Burak, Dariusz, Kaitila, Jyrki
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 07.12.2023
• Subjects: BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRICITY; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS

Eine Bulk-Akustik-Wave (BAW)-Resonatorstruktur, aufweisend:eine erste Elektrode (105), die über einem Substrat (103) angeordnet ist;eine piezoelektrische Schicht (107), die über der ersten Elektrode (105) angeordnet ist;eine zweite Elektrode (101), die über der ersten piezoelektrischen Schicht (107) angeordnet ist, wobei c-Achsen-Orientierungen von Kristallen der piezoelektrischen Schicht (107) miteinander ausgerichtet sind; undeine nicht-piezoelektrische Schicht (108), die über der ersten Elektrode (105) und benachbart zu der piezoelektrischen Schicht (107) angeordnet ist, wobei eine Überlappung (110) der nicht-piezoelektrischen Schicht (108) mit der zweiten Elektrode (101) eine Breite hat, die gleich einem ganzzahligen Vielfachen einer Viertelwellenlänge einer ersten sich ausbreitenden Eigenwelle in der nicht-piezoelektrische Schicht (108) ist, oder größer als oder gleich einer Inversen einer Dämpfungskonstante (1/k) einer ersten evaneszenten Eigenwelle in der nicht-piezoelektrischen Schicht (108). In a representative embodiment, a bulk acoustic wave (BAW) resonator structure comprises: a first electrode disposed over a substrate; a first piezoelectric layer disposed over the first electrode; a second electrode disposed over the first piezoelectric layer, wherein c-axis orientations of crystals of the first piezoelectric layer are substantially aligned with one another; a second piezoelectric layer disposed over the second electrode; a non-piezoelectric layer; and a third electrode disposed over the second piezoelectric layer.