Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie

• Main Authors: GRAESCHUS, VOLKER, GRUNER, TORALF
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 22.08.2013
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

Ein Projektionsbelichtungsverfahren zur Belichtung eines strahlungsempfindlichen Substrates mit mindestens einem Bild eines Musters einer Maske umfasst die Schritte: Halten der Maske zwischen einem Beleuchtungssystem und einem Projektionsobjektiv einer Projektionsbelichtungsanlage derart, dass das Muster im Bereich der Objektebene des Projektionsobjektivs angeordnet ist; Halten des Substrats derart, dass eine strahlungsempfindliche Oberfläche des Substrats im Bereich einer zur Objektebene optisch konjugierten Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnet ist; Beleuchten eines Beleuchtungsbereichs der Maske mit einer von dem Beleuchtungssystem bereitgestellten Beleuchtungsstrahlung; und Projizieren eines in dem Beleuchtungsbereich liegenden Teils des Musters auf ein Bildfeld am Substrat mit Hilfe des Projektionsobjektivs, wobei alle zur Bilderzeugung im Bildfeld beitragenden Strahlen der Projektionsstrahlung in dem Projektionsobjektiv einen Lichtköcher bilden. Das Verfahren ist gekennzeichnet durch eine Ermittlung mindestens eines Lichtköcherparameters, der eine Eigenschaft des Lichtköchers beschreibt sowie durch eine Steuerung des Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage unter Berücksichtigung des Lichtköcherparameters. A projection exposure method for exposing a radiation-sensitive substrate with at least one image of a pattern of a mask is provided. The method includes determining at least one light quiver parameter which describes a property of a light quiver, and controlling the operation of the projection exposure apparatus taking account of the light quiver parameter.