Vorrichtung und Verfahren für einen MOS-Transistor

• Main Authors: SU, POIH, NG, CHUN-WAI, CHOU, HSUEH-LIANG, LIU, RUEY-HSIN
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 09.01.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

MOS-Transistor, der ein Substrat mit einer ersten Leitfähigkeit, einen ersten Bereich mit der ersten Leitfähigkeit, der über dem Substrat ausgebildet ist, einen zweiten Bereich mit der ersten Leitfähigkeit, der in dem ersten Bereich ausgebildet ist, einen ersten Drain/Source-Bereich mit einer zweiten Leitfähigkeit, der in dem zweiten Bereich ausgebildet ist, einen zweiten Drain/Source-Bereich mit der zweiten Leitfähigkeit und einen Aufbaukontaktbereich mit der ersten Leitfähigkeit aufweist, wobei der Aufbaukontaktbereich und der erste Drain/Source-Bereich in einer Draufsicht abwechselnd ausgebildet sind. A transistor includes a first gate electrode and a second gate electrode over a substrate and on opposite sides of a drain region, a first source region and the drain region on opposite sides of the first gate electrode, a second source region and the drain region on opposite sides of the second gate electrode, a first doped well formed under the first source region, a second doped well formed under the first source region, wherein the first doped well is embedded in the second doped well, and wherein a doping density of the first doped well is greater than a doping density of the second doped well and a body contact region adjacent to the first source region, wherein sidewalls of the body contact region are aligned with sidewalls of the first source region from a top view.