Vorrichtung zur Spannungsreduzierung

• Main Authors: MAO, MING-RAY, TSAI, KUANI, CHEN, WEN-TSAO, LU, YING-TI
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 14.08.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Eine Vorrichtung zur Spannungsreduzierung umfasst eine Metallstruktur, die über einem Substrat ausgebildet ist, eine dielektrische Zwischenmetallschicht, die über dem Substrat ausgebildet ist, wobei ein unterer Abschnitt der Metallstruktur in der dielektrischen Zwischenmetallschicht eingebettet ist und eine Schicht zur Spannungsreduzierung in Form eines umgekehrten Bechers über der Metallstruktur ausgebildet ist, wobei ein oberer Abschnitt der Metallstruktur in der Schicht zur Spannungsreduzierung in Form eines umgekehrten Bechers eingebettet ist. A device comprises a metal via having a lower portion in a first etch stop layer and an upper portion in a first dielectric layer over a substrate, a second etch stop layer over and in direct contact with the first dielectric layer, a second dielectric layer over and in direct contact with the first etch stop layer, a stress reduction layer over and in direct contact with the second dielectric layer, a third etch stop layer over and in direct contact with the stress reduction layer and a metal structure over the metal via, wherein the metal structure comprises a lower portion in the second etch stop layer and the second dielectric layer and an upper portion in the stress reduction layer.