Method of manufacturing thin film solar cell, involves depositing transparent conductive oxide layer as front contact on protective layer by pulsed magnetron sputtering with specific pulse frequency and power density during a pulse

• Main Authors: SCHREIL, MANFRED, LINS, VOLKER
• Format: Patent
• Language: English; German
• Published: 24.10.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The method involves depositing a metal layer as electrical back contact (3) over a substrate (2). A compound semiconductor is deposited as absorber layer (4) on the electrical back contact. A transparent protective layer (7) is deposited on the absorber layer. A transparent conductive oxide layer is deposited as front contact (8) on the protective layer by pulsed magnetron sputtering with pulse frequency of 100 Hz and power density of 500 W/cm 2> during a pulse. The transparent conductive oxide layer is made of aluminum-doped zinc oxide. Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle. Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle mit einer verbesserten Stabilität der Solarzelle unter Einfluss von Wärme und/oder Feuchtigkeit und verbessertem Wirkungsgrad der Solarzelle anzugeben. Das erfindungsgemäße Verfahren beinhaltet die Verfahrensschritte Abscheiden einer Metallschicht als elektrischen Rückkontakt über dem Substrat, Abscheiden eines Verbindungshalbleiters als Absorberschicht auf den elektrischen Rückkontakt, Abscheiden einer transparenten Schutzschicht über der Absorberschicht und Abscheiden einer transparenten, leitfähigen Oxidschicht als Frontkontakt auf die Schutzschicht mittels gepulstem Magnetronsputterverfahren mit einer Pulsfrequenz von mindestens 100 Hz und mit einer Leistungsdichte von mindestens 500 W/cm2 während eines Pulses.