SUBSTRATHALTER SOWIE EINE VORRICHTUNG UND EIN VERFAHREN ZUM BEHANDELN VON SUBSTRATEN

• Main Authors: OBST, REINHOLD, LERCH, WILFRIED, REICHART, JOHANN GEORG, KUMMER, GÜNTHER, KEGEL, WILHELM
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 15.05.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Es ist ein Substrathalter zur Aufnahme eines Substrats beschrieben der ein Plattenelement aufeist, in dessen einen Seite wenigstens eine Vertiefung ausgebildet ist, die von einer umlaufenden Anlagefläche des Plattenelements umgeben ist. Die Vertiefung ist geeignet mit einer Seite eines an der Anlagefläche anliegenden Substrats eine geschlossene Kammer zu bilden, wobei in der wenigstens einen Vertiefung eine Vielzahl von Abstandshaltern angeordnet ist, und wobei das Plattenelement ferner wenigstens eine Öffnung aufweist, die mit der Vertiefung in Strömungsverbindung steht und mit einer externen Gas-Zufuhr/Absaugeinheit verbindbar ist. Ferner sind eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere von Halbleitersubstraten beschrieben. Die Vorrichtung weist wenigstens einen Substrathalter des oben beschriebenen Typs auf, der in einer Prozesskammer angeordnet oder aufnehmbar ist, und wenigstens eine Strahlungsquelle die angeordnet ist, Strahlung in die Prozesskammer zu emittieren. Bei dem Verfahren wird ein Substrat von einer ersten Seite her in einem Ansaugbereich, der einen ersten Prozessbereich der ersten Seite umgibt, derart angesaugt, dass Ansaugbereich und Prozessbereich getrennt sind. An der zweiten Seite des Substrats und im ersten Prozessbereich an der ersten Seite des Substrats werden unterschiedliche Gasatmosphären für eine Behandlungen des Substrats eingestellt. A substrate holder having a plate element for receiving a substrate includes at least one recess in a first side and spacers in the at least one recess. At least one opening is fluidly connected to the recess and is connectable to an external gas delivery/exhaust unit. At least one notch or channel radially surrounds the recess. At least one opening is fluidly connected to the notch or channel and is connectable to an external gas delivery/exhaust unit. A circumferential web radially surrounds the recess and is located between the recess and the notch or channel. A first circumferential contact surface is formed on the upper side of the web and radially surrounds the recess, such that a substrate abutting against the first contact surface forms an enclosed chamber with the recess. A second circumferential contact surface radially surrounds the notch or channel.