Ein Verfahren zum Herstelllen eines Anschlussgebiets an einer Seitenwand eines Halbleiterkörpers

• Main Authors: AHRENS, CARSTEN, WILLKOFER, STEFAN, SCHUDERER, BERTHOLD
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 10.07.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussgebiets an einer Seitenwand (70) eines Halbleiterkörpers (10), aufweisend folgende Merkmale: - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10), - Erzeugen von mindestens einem ersten Graben (12) an einer ersten Oberfläche (11) des Halbleiterkörpers (10) in den...