Ein Verfahren zum Herstelllen eines Anschlussgebiets an einer Seitenwand eines Halbleiterkörpers

• Main Authors: AHRENS, CARSTEN, WILLKOFER, STEFAN, SCHUDERER, BERTHOLD
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 10.07.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussgebiets an einer Seitenwand (70) eines Halbleiterkörpers (10), aufweisend folgende Merkmale: - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10), - Erzeugen von mindestens einem ersten Graben (12) an einer ersten Oberfläche (11) des Halbleiterkörpers (10) in den Halbleiterkörper (10) hinein, wobei der erste Graben (12) derart zweiteilig erzeugt wird, dass ein erster Grabenteil (12a) schmaler als ein zweiter Grabenteil (12b) ist und der erste Grabenteil (12a) tiefer in den Halbleiterkörper (10) hinein erzeugt wird als der zweite Grabenteil (12b). - Ausbilden einer Isolationsschicht (15) an den Seitenwänden (13a, 13b) und am Boden (14) des ersten Grabens (12), wobei der erste Graben (12) nur teilweise verfüllt wird, - Verfüllen des unverfüllten Teils des ersten Grabens (12) mit einem elektrisch leitfähigen Material (16), - Erzeugen eines Trenngrabens (17) entlang des ersten Grabens (12) derart, dass eine Seitenwand des Trenngrabens (17) an den ersten Graben (12) unmittelbar angrenzt; - Zumindest teilweises Entfernen des an den Trenngraben (17) angrenzenden Teils der Isolationsschicht (15), so dass zumindest ein Teil des elektrisch leitfähigen Materials (16) in dem ersten Graben (12) frei liegt. A method for producing a connection region on a side wall of a semiconductor body is disclosed. A first trench is produced on a first surface of a semiconductor body and extends into the semiconductor body. An insulation layer is formed on the side walls and on the bottom of the first trench, and the first trench is only partially filled. The unfilled part of the first trench is filled with an electrically conductive material. A separating trench is produced along the first trench in such a way that a side wall of the separating trench directly adjoins the first trench. The part of the insulation layer which adjoins the separating trench is at least partially removed, with the result that at least some of the electrically conductive material in the first trench is exposed.