Verfahren zur Herstellung höherer Silane mit verbesserter Ausbeute

• Main Authors: MUEH, EKKEHARD, RAULEDER, HARTWIG, LANG, JUERGEN ERWIN
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 17.01.2013
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F; COMPOUNDS THEREOF; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; INORGANIC CHEMISTRY; METALLURGY; NON-METALLIC ELEMENTS; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan oder Ge2Cl6, welches dadurch gekennzeichnet ist, dass in einem Gas, das SiCl4 oder GeCl4 enthält, a) ein nichtthermisches Plasma mittels einer Wechselspannung der Frequenz f erzeugt wird, und wobei in das Plasma zumindest ein elektromagnetischer Impuls mit der Repetierrate g eingekoppelt wird, dessen Spannungskomponente eine Flankensteilheit in der ansteigenden Flanke von 10 V ns-1 bis 1 kV ns-1, und eine Pulsbreite b von 500 ns bis 100 µs aufweist, wobei eine flüssige Phase erhalten wird, und b) aus der flüssigen Phase reines Hexachlordisilan oder Ge2Cl6 gewonnen wird. The invention relates to a method for producing hexachlorodisilane or Ge2CI6, which is characterized in that, in a gas containing SiCI4 or GeCI4, a) a non-thermal plasma is generated by means of an alternating voltage of the frequency f, and wherein at least one electromagnetic pulse having the repetition rate g is coupled into the plasma, the voltage component of which pulse has an edge steepness in the rising edge of 10 V ns-1 to 1 kV ns-1 and a pulse width b of 500 ns to 100 μs, wherein a liquid phase is obtained, and b) pure hexachlorodisilane or Ge2Cl6 is obtained from the liquid phase.