Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle

• Main Authors: SEGUIN, ROBERT, BARTEL, TIL, STEKOLNIKOV, ANDREY, SCHERFF, MAXIMILIAN, HEIMANN, MATTHIAS, KÖNTOPP, MAX, TRÄGER, MARKUS, ENGELHART, PETER
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 16.04.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Solarzellen-Herstellungsverfahren zur Erzeugung einer Rückseitenmetallisierung, umfassend die Verfahrensschritte: - Bereitstellen eines Halbleiterwafers (3, 31) mit mindestens einer dielektrischen Schicht (5, 35), - Ausbilden einer Metallschicht (7, 37) auf der dielektrischen Schicht (5, 35) und einer Kontaktstruktur, die in der dielektrischen Schicht (5, 35) angeordnet ist, sodass die Kontaktstruktur eine elektrische Verbindung zwischen der Metallschicht (7, 37) und dem Halbleiterwafer (3, 33) bereitstellt, wobei mindestens eine erste Struktur (9a, 39a) mit einer Mindestabmessung und mindestens eine zweite Struktur (9b, 39b) mit einer Maximalabmessung als Kontaktstruktur ausgebildet werden, sodass die Mindestabmessung der ersten Struktur (9a, 39a) größer ist als die Maximalabmessung der zweiten Struktur (9b, 39b), wobei es sich bei der Mindestabmessung einer Struktur um die kleinste Abmessung der Struktur entlang der Oberfläche des Halbleiterwafers handelt, während es sich bei der Maximalabmessung der Struktur um die größte Abmessung der Struktur entlang der Oberfläche des Halbleiterwafers handelt, wobei das Ausbilden der Metallschicht (7) und der Kontaktstruktur folgende Verfahrensschritte umfasst: - Aufbringen mindestens einer zu der dielektrischen Schicht (5) inerten Metall-Paste (13) und mindestens einer zu der dielektrischen Schicht (5) reaktiven Metall-Paste (15) auf die dielektrische Schicht (5), sodass die zu der dielektrischen Schicht (5) reaktive Metall-Paste (15) mindestens einen ersten Bereich in der zu der dielektrischen Schicht (5) inerten Metall-Paste (13) bildet; und - Feuern, sodass die zu der dielektrischen Schicht (5) reaktive, den ersten Bereich bildende Metall-Paste (15) die dielektrische Schicht (5) durchdringt und die erste Struktur (9a) ausbildet. A solar cell includes a semiconductor wafer, at least one dielectric layer arranged on the semiconductor wafer, a metal layer arranged on the dielectric layer, and a contact structure arranged in the dielectric layer such that the contact structure provides an electrical connection between the metal layer and the semiconductor wafer. The contact structure has at least one first structure having a minimum dimension and at least one second structure having a maximum dimension, wherein the minimum dimension and the maximum dimension are defined along a surface of the semiconductor wafer and the minimum dimension of the first structure is greater than the maximum dimension of the second structure.