Method for manufacturing power semiconductor device e.g. insulated gate bipolar transistor, involves forming trenches partially filled with insulating material starting from side to side in regions of semiconductor structure

• Main Authors: AHRENS, CARSTEN, WILLKOFER, STEFAN, FRANK, MANFRED, KNOTT, BERNHARD, LEHNERT, WOLFGANG, BERGER, RUDOLF, HOECKELE, UWE, KRUMBEIN, ULRICH, SCHUDERER, BERTHOLD, WAGNER, JUERGEN
• Format: Patent
• Language: English; German
• Published: 12.07.2012
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The method involves forming trenches (14) partially filled with insulating material (13) starting from side (11) to side (12) in regions (10a,10b) of semiconductor structure (10). Separation trench (15) is formed between regions such that side walls (16,17) are adjacent to trench. Side (12) of semiconductor region is partially removed to separating trench. Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbausteins mit einer Seitenwandisolation weist folgende Merkmale auf: - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10) mit einer ersten Seite (11) und einer der ersten Seite (11) gegenüberliegenden zweiten Seite (12), - Erzeugen von mindestens zwei mit Isolationsmaterial (13) zumindest teilweise gefüllten ersten Gräben (14) ausgehend von der ersten Seite (11) in Richtung zur zweiten Seite (12) in den Halbleiterkörper (10) hinein, wobei die mindestens zwei ersten Gräben (14) zwischen einem ersten Halbleiterkörperbereich (10a) für einen ersten Halbleiterbaustein (20) und einem zweiten Halbleiterkörperbereich (10b) für einen zweiten Halbleiterbaustein (30) erzeugt werden, - Erzeugen eines Trenngrabens (15) ausgehend von der ersten Seite (11) des Halbleiterkörpers (10) in Richtung zur zweiten Seite (12) des Halbleiterkörpers (10) zwischen zwei dieser ersten Gräben und zwischen dem ersten und zweiten Halbleiterkörperbereich (10a, 10, 17) des Trenngrabens (15) mindestens ein Teil des Isolationsmaterials zumindest einer der ersten Gräben (14) angrenzt, - Zumindest teilweises Entfernen der zweiten Seite (12) des Halbleiterkörpers (10) bis zum Trenngraben (15).