Verfahren zur Leistungssteigerung in Transistoren durch Reduzierung der Absenkung aktiver Gebiete und durch Entfernen von Abstandshaltern

• Main Authors: Flachowsky, Stefan, Hoentschel, Jan
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 04.01.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer schützenden Beschichtung (264L) über einem aktiven Gebiet (202A) und einer Gateelektrodenstruktur (260), die auf dem aktiven Gebiet ausgebildet ist und eine dielektrische Deckschicht (267) aufweist; Bild...