Halbleiterbauelement mit verbessertem Einschaltwiderstand

Halbleiterbauelement (100, 200), das aufweist: eine Sourcezone (122); eine Drainzone (104); eine Gateelektrode (118); eine Driftzone (108) zwischen der Sourcezone (122) und der Drainzone (104); eine benachbart zu der Driftzone (108) angeordnete erste Feldplatte (114); eine dielektrische Schicht (112...

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Main Authors Hirler, Franz, Dr, Siemieniec, Ralf, Mauder, Anton, Dr, Schulze, Hans-Joachim, Dr, Berger, Rudolf
Format Patent
LanguageGerman
Published 22.02.2018
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:Halbleiterbauelement (100, 200), das aufweist: eine Sourcezone (122); eine Drainzone (104); eine Gateelektrode (118); eine Driftzone (108) zwischen der Sourcezone (122) und der Drainzone (104); eine benachbart zu der Driftzone (108) angeordnete erste Feldplatte (114); eine dielektrische Schicht (112), die die erste Feldplatte (114) von der Driftzone (104) elektrisch isoliert; und positive und/oder negative elektrische Ladungen (110) innerhalb der dielektrischen Schicht (112). A semiconductor device includes a source, a drain, and a gate configured to selectively enable a current to pass between the source and the drain. The semiconductor device includes a drift zone between the source and the drain and a first field plate adjacent the drift zone. The semiconductor device includes a dielectric layer electrically isolating the first field plate from the drift zone and charges within the dielectric layer close to an interface of the dielectric layer adjacent the drift zone.
Bibliography:Application Number: DE20101062721