Kantenemittierende Halbleiterlaserdiode und Verfahren zu dessen Herstellung

• Main Authors: Nelz, Christoph, Hartauer, Stefan, Lell, Alfred, Rumbolz, Christian
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 08.05.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

Kantenemittierende Halbleiterlaserdiode (1) mit- einem epitaktischen Halbleiterschichtenstapel (2) aufweisend einen Grundkörper (2a) und einen Stegwellenleiter (2b), wobei der Grundkörper (2a) eine aktive Schicht (2c) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist, und- einer Planarisierungsschicht (3), wobei die Planarisierungsschicht (3) den Stegwellenleiter (2b) derart einbettet, dass eine Oberfläche (21) des Stegwellenleiters (2b) und eine Oberfläche (22) der Planarisierungsschicht (3) eine ebene Hauptfläche (4) ausbilden, wobei- die Planarisierungsschicht (3) zwei übereinander angeordnete Bereiche (3a, 3b) aufweist,- ein erster der Bereiche (3b) gegenläufig zum Halbleiterschichtenstapel (2) dotiert ist, flächig an den Grundkörper (2a) angrenzt, und an den Stegwellenleiter (2b) angrenzt,- ein zweiter der Bereiche (3a), der sich direkt an einer dem Grundkörper (2a) abgewandten Seite des ersten Bereichs (3b) befindet, an den Stegwellenleiter (2b) angrenzt und gemeinsam mit der Oberfläche (21) des Stegwellenleiters (2b) die gesamte Hauptfläche (4) bildet,- neben dem Stegwellenleiter (2b) zu beiden Seiten lateral beabstandet Halbleiterschichten (2d) des Halbleiterschichtenstapels (2) angeordnet sind, die durch Gräben (7) abgegrenzt sind,- die Planarisierungsschicht (3) in den Gräben (7) angeordnet ist,- die Gräben (7) V-förmig ausgebildet sind und die Halbleiterlaserdiode (1) ein Hochleistungslaser ist,- die Gräben (7) die aktive Schicht (2c) durchbrechen, und- die Planarisierungsschicht (3) ein Absorbermaterial enthält. An edge-emitting semiconductor laser diode includes an epitactic semiconductor layer stack and a planarization layer. The semiconductor layer stack includes a main body and a ridge waveguide. The main body includes an active layer for generating electromagnetic radiation. The planarization layer embeds the ridge waveguide such that a surface of the ridge waveguide and a surface of the planarization layer form a flat main surface. A method for producing such a semiconductor laser diode is also disclosed.