Sensor arrangement, has mold-housing comprising access port provided with sensitive region and sense element, and stress decoupling structure formed in sense element, where sense element is formed between mold-housing and sensitive region
The arrangement has a sense element (10) arranged in a layer structure on semiconductor substrate (2). A terminal portion (12) and a sensitive region (11) are arranged in the semiconductor substrate. The sense element is mounted on a carrier. A mold-housing comprises an access port provided with the...
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Format | Patent |
Language | English German |
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15.12.2011
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Summary: | The arrangement has a sense element (10) arranged in a layer structure on semiconductor substrate (2). A terminal portion (12) and a sensitive region (11) are arranged in the semiconductor substrate. The sense element is mounted on a carrier. A mold-housing comprises an access port provided with the sensitive region and the sense element. The sense element is formed between the mold-housing and the sensitive region. A stress decoupling structure (13) is formed in the sense element.
Es werden Maßnahmen vorgeschlagen, durch die sich das Auftreten von montagebedingten und thermisch bedingten mechanischen Spannungen im sensitiven Bereich (11) des Sensorelements (10) einer Sensoranordnung (100) weitgehend verhindern lässt, sofern die Funktionalität des Sensorelements (10) in einem Schichtaufbau auf einem Halbleitersubstrat realisiert ist, das Sensorelement (10) auf einem Träger (14) montiert ist, und die Sensoranordnung (100) ein Moldgehäuse (20) umfasst, das mindestens eine Zugangsöffnung (21) für den sensitiven Bereich (11) des Sensorelements (10) aufweist, wobei zumindest ein nichtsensitiver Abschnitt (12) des Sensorelements (10) und ein Abschnitt des Trägers (14) in das Moldgehäuse (20) eingebettet sind. Montagebedingte und thermisch bedingte mechanische Spannungen im sensitiven Bereich (11) des Sensorelements (10) werden dadurch verhindert, dass im Sensorelement (10) zwischen dem in das Moldgehäuse (20) eingebetteten Abschnitt (12) und dem sensitiven Bereich (11) eine Stressentkopplungsstruktur (13) ausgebildet ist. |
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Bibliography: | Application Number: DE20101043982 |