Halbleiter-Bauelement mit entkoppeltem mikro-elektromechanischen Element

• Main Authors: Reinmuth, Jochen, Benzel, Hubert
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 29.06.2023
• Subjects: MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS; TRANSPORTING

Halbleiter-Bauelement (500; 600), umfassend:einen Chip (1) mit einer ersten Hauptoberfläche (2a) und einer zweiten Hauptoberfläche (2b);ein mikro-elektromechanisches Element (3), welches in einem ersten Bereich (4a) des Chip (1) eingebettet ist;mindestens einen Graben (7), welcher in dem Chip (1) eingebracht ist und welcher auf der ersten Hauptoberfläche (2a) oder der zweiten Hauptoberfläche (2b) eine Öffnung (7a) aufweist, wobei die Öffnung (7a) von einer strukturierten dielektrischen Schicht (401a) bedeckt ist; undeine erste metallische oder dielektrische Verschlussschicht (706), die auf der strukturierten dielektrischen Schicht (401a) aufgebracht ist und deren Oberfläche ein Tiefenprofil (702) in Richtung des Chipinneren aufweist. The component (100) has a micro-electromechanical element (3) i.e. absolute pressure sensor, embedded in a region (4a) of a chip (1), and trenches (7) brought into the chip. The trenches comprise an opening (7a) on a main surface (2a) or another main surface (2b). The opening is covered by a structured dielectric layer. A metallic or dielectric closure layer i.e. passivation layer, is attached on the structured dielectric layer, and a surface of the metallic or dielectric closure layer comprises a depth profile in direction of the interior of the chip. An independent claim is also included for a method for manufacturing a semiconductor component.