Induktoren und Verfahren für integrierte Schaltungen

Integrierter Induktor, umfassend:ein erstes Substrat mit mehreren Schichten und mit einer Vielzahl von Löchern durch das erste Substrat, wobei die Löcher derart mit einem elektrisch leitenden Material gefüllt sind, dass sie von einer Oberseite des ersten Substrats aus zugänglich sind;wobei das elekt...

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Main Authors Ellul, Joseph P, Bergemont, Albert, Godshalk, Edward Martin, Tran, Khanh
Format Patent
LanguageGerman
Published 03.08.2023
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Summary:Integrierter Induktor, umfassend:ein erstes Substrat mit mehreren Schichten und mit einer Vielzahl von Löchern durch das erste Substrat, wobei die Löcher derart mit einem elektrisch leitenden Material gefüllt sind, dass sie von einer Oberseite des ersten Substrats aus zugänglich sind;wobei das elektrisch leitende Material in Lochpaaren an einer Unterseite des ersten Substrats elektrisch miteinander verbunden ist;ein zweites Substrat mit mehreren Schichten, das mit der Unterseite des ersten Substrats verbunden ist, wobei das zweite Substrat eine Passivierungsoxidschicht (74) aufweist, die auf einer Oberseite des zweiten Substrats gebildet ist, wobei das zweite Substrat eine Vielzahl von elektrisch leitenden Bereichen aufweist, die auf der Oberseite davon gebildet sind und die durch die Passivierungsoxidschicht (74) hindurch freigelegt sind;wobei die elektrisch leitenden Bereiche auf der Oberseite des zweiten Substrats mit dem elektrisch leitenden Material, das von der Oberseite des ersten Substrats aus zugänglich ist, elektrisch verbunden ist;wobei das elektrisch leitende Material, das von der Oberseite des ersten Substrats aus zugänglich ist, miteinander verbunden ist, um eine Induktorspule mit mehreren Windungen zu formen. Inductors and methods for integrated circuits that result in inductors of a size compatible with integrated circuits, allowing the fabrication of inductors, with or without additional circuitry on a first wafer and the bonding of that wafer to a second wafer without wasting of wafer area. The inductors in the first wafer are comprised of coils formed by conductors at each surface of the first wafer coupled to conductors in holes passing through the first wafer. Various embodiments are disclosed.
Bibliography:Application Number: DE20101038264