Schaltungen und Verfahren einer VPTAT und/oder einer Bandabstandsspannung (VGO) mit Vorbehandlung für niedrige Störungen

• Main Author: Herbst, Steven G
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 26.03.2020
• Subjects: CONTROLLING; PHYSICS; REGULATING; SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES

Schaltung (1000A, 1000B, 1000C, 1000D) zum Generieren einer zur absoluten Temperatur proportionalen Spannung (VPTAT), umfassend:eine Gruppe von X Transistoren, von denen jeder eine Basis und einen Stromweg zwischen einem Kollektor und einem Emitter aufweist;eine Vielzahl von Schaltern, die dazu ausgestaltet sind, selektiv zu ändern, wie wenigstens einige der X Transistoren innerhalb der Schaltung verbunden sind;einen ersten Basis-Emitter-Spannungszweig, der dazu ausgestaltet ist, dem Stromweg jedes Transistors innerhalb des ersten Basis-Emitter-Spannungszweigs eine erste Strommenge zuzuführen, um eine erste Basis-Emitter-Spannung (VBE1) zu erzeugen;einen zweiten Basis-Emitter-Spannungszweig, der dazu ausgestaltet ist, dem Stromweg jedes Transistors innerhalb des zweiten Basis-Emitter-Spannungszweigs eine zweite Strommenge zuzuführen, um eine zweite Basis-Emitter-Spannung (VBE2) zu erzeugen, wobei die zweite Strommenge kleiner als die erste Strommenge ist;einen ersten Stromvorbehandlungszweig, der dazu ausgestaltet ist, jedem Transistor innerhalb des ersten Stromvorbehandlungszweigs einen Strom im Wesentlichen gleich der ersten Strommenge zuzuführen; undeinen zweiten Stromvorbehandlungszweig, der dazu ausgestaltet ist, jedem Transistor innerhalb des zweiten Stromvorbehandlungszweigs einen Strom im Wesentlichen gleich der zweiten Strommenge zuzuführen;wobei die VPTAT auf Basis der ersten Basis-Emitter-Spannung (VBE1) und der zweiten Basis-Emitter-Spannung (VBE2) erzeugt ist, die durch den ersten Basis-Emitter-Spannungszweig bzw. den zweiten Basis-Emitter-Spannungszweig erzeugt sind;wobei die Transistoren innerhalb der ersten und zweiten Vorbehandlungszweige nicht zum Erzeugen von VBE1 und VBE2 verwendet werden undwobei die Schalter dazu verwendet werden, im Zeitverlauf selektiv zu ändern, welche der X Transistoren sich in dem ersten Basis-Emitter-Spannungszweig, dem zweiten Basis-Emitter-Spannungszweig, dem ersten Stromvorbehandlungszweig und dem zweiten Stromvorbehandlungszweig befinden. Provided herein are circuits and methods to generate a voltage proportional to absolute temperature (VPTAT) and/or a bandgap voltage output (VGO) with low 1/f noise. A first base-emitter voltage branch is used to produce a first base-emitter voltage (VBE1). A second base-emitter voltage branch is used to produce a second base-emitter voltage (VBE2). The circuit also includes a first current preconditioning branch and/or a second current preconditioning branch. The VPTAT is produced based on VBE1 and VBE2. A CTAT branch can be used to generate a voltage complimentary to absolute temperature (VCTAT), which can be added to VPTAT to produce VGO. Which transistors are in the first base-emitter voltage branch, the second base-emitter voltage branch, the first current preconditioning branch, the second current pre-conditioning branch, and the CTAT branch changes over time. The current preconditioning branches are used to appropriately precondition transistors with an appropriate amount of current as they are switched into and out of the various other circuit branches.