Lichtemittierende Vorrichtung

• Main Authors: Huang, Wen-Jia, Lai, Chao-Hsu, Chang, Chung-Ying, Lin, Tien-Kun
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 28.01.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Lichtemittierende Vorrichtung (4) mit mindestens einem lichtemittierenden Segment (4a, 4b), wobei jedes eine lichtemittierende Epitaxiestruktur (3) und eine erste Elektrode (21) aufweist, wobei die lichtemittierende Epitaxiestruktur aufeinanderfolgend aufweist:ein Wachstumssubstrat (10),eine Kontaktschicht (20),eine Gitterpufferschicht, die zwischen der Kontaktschicht (20) und dem Wachstumssubstrat (10) angeordnet ist,eine n-Typ Halbleiter-Mantelschicht (40),eine aktive Schicht (50) undeine p-Typ Halbleiter-Mantelschicht (60),wobei die erste Elektrode (21) die Kontaktschicht (20) direkt kontaktiert, wobei die Kontaktschicht (20) eine andere Gitterkonstante hat als diejenige des Wachstumssubstrates (10),wobei die Kontaktschicht (20) eine einschichtige oder mehrschichtige Struktur aufweist und wobei die Kontaktschicht (20) eine n-Typ Verunreinigung mit einer Verunreinigungskonzentration von ungefähr 1*1017cm-3bis 1*1018cm-3aufweist,wobei eine einzelne erste Prozessübergangsschicht (31) n-Typ Verunreinigungen mit einer Konzentration zwischen 5*1017cm-3und 1*1020cm-3aufweist und zwischen der Kontaktschicht (20) und der n-Typ Halbleiter-Mantelschicht (40) angeordnet ist,wobei die Verunreinigungskonzentration der einzelnen ersten Prozessübergangsschicht (31) höher ist als die Verunreinigungskonzentration der Kontaktschicht (20) und eine Verunreinigungskonzentration der n-Typ Halbleiter-Mantelschicht (40), undwobei die n-Typ Halbleiter-Mantelschicht (40) eine Übergitterstruktur aufweist, und wobei keine andere Übergitterstruktur zwischen der Kontaktschicht (20) und der n-Typ Halbleiter-Mantelschicht (40) ausgebildet ist. A light-emitting device having a light-emitting epitaxy structure. The light-emitting epitaxy structure has a modulus of a critical reverse voltage not less than 50 volts, while the light-emitting epitaxy structure is reverse-biased at a current density of −10 μA/mm2, and has a luminous efficiency not less than 50 lumen/Watt, while the light-emitting epitaxy structure is forward-biased at a current density of 150 mA/mm2.