Ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements auf einem Substrat

Ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements auf einem Substrat umfasst die Schritte des Bildens einer Schichtstruktur auf dem Substrat, des Bildens einer Hilfsschicht auf der Schichtstruktur, des Bildens einer Planarisierungsschicht auf der Hilfsschicht und auf dem Substrat, des Freilegens der Hi...

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Main Authors NICKUT, PATRICIA, ADLER, JOERG, JALICS, CHRISTOF, GOELLNER, REINHARD, SCHEST, TANJA, OBERNHUBER, SANDRA, HOECKELE, UWE, PREIS, WALTER
Format Patent
LanguageGerman
Published 14.10.2010
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Summary:Ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements auf einem Substrat umfasst die Schritte des Bildens einer Schichtstruktur auf dem Substrat, des Bildens einer Hilfsschicht auf der Schichtstruktur, des Bildens einer Planarisierungsschicht auf der Hilfsschicht und auf dem Substrat, des Freilegens der Hilfsschicht durch einen chemisch-mechanischen Polierprozess und des Entfernens der Hilfsschicht zumindest teilweise, um eine planare Oberfläche der verbleibenden Hilfsschicht oder der Schichtstruktur und der Planarisierungsschicht zu bilden. Der chemisch-mechanische Polierprozess umfasst eine erste Entfernungsrate bezüglich der Planarisierungsschicht und eine zweite Entfernungsrate bezüglich der Hilfsschicht und die erste Entfernungsrate ist größer als die zweite Entfernungsrate. A method for manufacturing a device on a substrate includes forming a layer structure on the substrate, forming an auxiliary layer on the layer structure, forming a planarization layer on the auxiliary layer and on the substrate, exposing the auxiliary layer by a chemical mechanical polishing process and removing at least partly the auxiliary layer to form a planar surface of the remaining auxiliary layer or of the layer structure and the planarization layer. The chemical mechanical polishing process has a first removal rate with respect to the planarization layer and a second removal rate with respect to the auxiliary layer and the first removal rate is greater than the second removal rate.
Bibliography:Application Number: DE20101003129