Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung

• Main Authors: Straßburg, Martin, Lell, Alfred
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 30.07.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

Laserdiodenanordnung- mit einem Halbleitersubstrat (2),- mit einer ersten Einzellichtquelle, aufweisend einen ersten Laserstapel (30) mit einer aktiven Zone (6, 6006a), eine erste n-Kontaktschicht (40) und eine erste p-Kontaktschicht (50), und mindestens einer zweiten Einzellichtquelle, aufweisend einen zweiten Laserstapel (31, 32) mit einer aktiven Zone (12, 18, 6012a, 6018a), eine zweite n-Kontaktschicht (41, 42) und eine zweite p-Kontaktschicht (51), und- mit mindestens einer Zwischenschicht (9, 15) mit einer Stromblende (55, 57) zwischen der ersten und der mindestens einen zweiten Einzellichtquelle, wobeidie Laserstapel (30, 31, 32) und die Zwischenschicht(9, 15) monolithisch auf das Halbleitersubstrat (2) aufgewachsen sind,wobeidie Laserstapel (30, 31, 32) eingerichtet sind, Laserstrahlung senkrecht zu deren Wachstumsrichtung zu emittieren, undwobeidie aktive Zone (6) des ersten Laserstapels (30) von der aktiven Zone (12, 18) des mindestens einen weiteren Laserstapels (31, 32) getrennt ansteuerbar ist. A laser diode arrangement having at least one semiconductor substrate, having at least two laser stacks each having an active zone and having at least one intermediate layer. The laser stacks and the intermediate layer are grown monolithically on the semiconductor substrate. The intermediate layer is arranged between the laser stacks. The active zone of the first laser stack can be actuated separately from the active zone of the at least one further laser stack.