Array substrate for display device e.g. LCD device, has pixel electrode arranged on passivation film, that contacts drain electrode and barrier metal layer through contact hole formed by etching passivation film

• Main Authors: JEONG, SEUNG-WOO, CHOI, HEE-KYOUNG, MOON, KYO-HO, CHO, YONG-SOO, AHN, BYUNG-YONG, HONG, SUNG-WOOK, KIM, CHUL-TAE
• Format: Patent
• Language: English; German
• Published: 02.09.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

The array substrate has a gate electrode (103) of a thin film transistor (TFT), that is connected to the gate wiring formed on transparent substrate (101). A gate insulating layer (105) is formed on gate electrode, where the barrier metal layer (109) is formed between the source and drain electrodes (111a,111b) of TFT. The passivation film (115) is formed enclosing the TFT, gate and data wirings. A pixel electrode (123a) arranged on passivation film is made to contact drain electrode and barrier layer through a contact hole formed by etching the passivation film. An independent claim is included for fabrication method of array substrate of display device. Ein Arraysubstrat für eine Anzeigevorrichtung und sein Herstellungsverfahren werden beschrieben. Das Arraysubstrat für eine Anzeigevorrichtung enthält: eine Gateleitung und eine mit der Gateleitung verbundene Gateelektrode (103), die auf einem Substrat (101) ausgebildet sind; eine auf der Gateelektrode (103) ausgebildete Gateisolierschicht (105); eine aktive Schicht (107) und eine Metallsperrschicht (109), die auf der Gateelektrode (103) aufgeschichtet sind, wobei die Gateisolierschicht (105) dazwischen angeordnet ist; eine Datenleitung, die auf der Metallsperrschicht (109) ausgebildet ist, und Source- und Drain-Elektroden (111a, 111b), die mit der Datenleitung verbunden sind; eine Passivierungsschicht (115), die auf der Source- und Drain-Elektrode (111a, 111b) und der Datenleitung ausgebildet ist und ein Kontaktloch aufweist, das einen Bereich der Drain-Elektrode (111b), der Metallsperrschicht (109) und der aktiven Schicht (108) freilegt; und eine Pixelelektrode (123a), die auf der Passivierungsschicht (115) ausgebildet ist und mit der Drain-Elektrode (111b) und der Metallsperrschicin Kontakt steht.