Verfahren zur Herstellung von Wafern

• Main Author: WIEDMANN, WERNER
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 03.03.2011
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PERFORMING OPERATIONS; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; TRANSPORTING; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE; WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS

Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung von Wafern aus Siliziumblöcken, wobei ein Siliziumblock über eine Klebeschicht auf einem Träger fixiert wird, der Siliziumblock in Waferscheiben zerteilt wird und die Waferscheiben von dem Träger abgelöst werden, wobei zwischen der Oberfläche des Siliziumblocks und der Klebeschicht zusätzlich ein dünner, polymerbasierter Trennfilm angeordnet wird.