Markerfreier Sensor

Es wird ein markerfreier Sensor offenbart. Der markerfreie Sensor umfasst ein Substrat, eine erste Elektrode, welche auf dem Substrat ausgebildet ist, eine zweite Elektrode, welche auf dem Substrat ausgebildet ist und von der ersten Elektrode beabstandet ist, sowie eine Halbleiterschicht, welche auf...

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Main Authors LIU, WEN-HSING, LI, JAN-HAO, CHAO, YUIANG, MENG, HSIN-FEI, LIU, CHIENNG, HONG, SHENG-FU, CHANG, CHENGUNG, DAI, MING-ZHI
Format Patent
LanguageGerman
Published 23.09.2010
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Summary:Es wird ein markerfreier Sensor offenbart. Der markerfreie Sensor umfasst ein Substrat, eine erste Elektrode, welche auf dem Substrat ausgebildet ist, eine zweite Elektrode, welche auf dem Substrat ausgebildet ist und von der ersten Elektrode beabstandet ist, sowie eine Halbleiterschicht, welche auf dem Substrat ausgebildet ist und sich in Kontakt mit der ersten Elektrode und mit der zweiten Elektrode befindet, wobei die Halbleiterschicht eine Vielzahl von Sondengruppen, welche an die Halbleiterschicht durch Funktionalisierung gebunden sind, zum Erkennen einer kupplungsspezifischen Verbindung, welche eine Bindungsspezifizität mit den Sondengruppen aufweist, aufweist. Die Halbleiterschicht des markerfreien Sensors gemäß der vorliegenden Erfindung ist mit Sondengruppen verbunden und die Detektion des detektierten Objekts wird durch das Messen der Veränderung in dem elektrischen Strom in einer sofortigen, schnellen, raschen und empfindlichen Weise durchgeführt, wodurch die Verwendung einer Fluoreszenzlesevorrichtung zum Lesen von Fluoreszenzsignalen vermieden wird.
Bibliography:Application Number: DE20091031658