Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Nutzung von Dotierungstechniken
Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Solarzelle mit selektivem Emitter sowie Metallisierung zur Kontaktfingererzeugung, wobei die Emitterbereiche unterhalb der Kontaktfinger eine lokal hohe Dotierungskonzentration besitzen, wobei zur Justage der Metallisierung für die Erzeugung der Kontaktfinger...
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Format | Patent |
Language | German |
Published |
03.12.2015
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Summary: | Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Solarzelle mit selektivem Emitter sowie Metallisierung zur Kontaktfingererzeugung, wobei die Emitterbereiche unterhalb der Kontaktfinger eine lokal hohe Dotierungskonzentration besitzen, wobei zur Justage der Metallisierung für die Erzeugung der Kontaktfinger die selektiv dotierte Struktur mittels einer IR-empfindlichen Kameraeinrichtung (3) in ihrer Position in dem Wafer (1) ermittelt und der Metallisierungsschritt unter Nutzung der visualisierten Position ausgerichtet wird wobei die dotierte Fläche exakt auf das Gebiet der aufzubringenden Metallisierung begrenzt bleibt. |
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Bibliography: | Application Number: DE20091018653 |