Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Nutzung von Dotierungstechniken

• Main Authors: MEYER, KARSTEN, WEIS, MATHIAS, LOSSEN, JAN, WUETHERICH, TOBIAS
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 16.09.2010
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Nutzung von Dotierungstechniken, wobei während der Prozessierung eine Abfolge von Schichten erzeugt wird, welche exakt zueinander zu positionieren sind. Erfindungsgemäß wird eine im Halbleitersubstrat erzeugte selektiv dotierte Struktur mittels einer infrarotempfindlichen Kameraeinrichtung in ihrer Position im Substrat ermittelt und die so aufgefundene Position unmittelbar oder mittelbar für die Justage des folgenden Prozessierungsschritts genutzt.