SOI-Transistor mit potentialfreiem Körper für die Informationsspeicherung mit asymmetrischen Drain/Source-Gebieten

• Main Authors: MOHAPATRA, NIHAR-RANJAN, BENTUM, RALF VAN
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 01.10.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Durch lateral asymmetrisches Erzeugen der Wannendotierstoffkonzentration in einem Speichertransistor mit schwebendem Körper wird eine erhöhte Wannendotierstoffkonzentration auf der Drainseite bereitgestellt, während eine moderat geringe Konzentration in dem Rest des schwebenden Körpergebiets verbleibt. Folglich wird im Vergleich zu konventionellen symmetrischen Strukturen eine Verringerung der Lese/Schreib-Spannungen für das Einschalten des parasitären Bipolartransistors ermöglicht, während auch eine erhöhte Immunität gegen Durchgreifspannungen eine weitere Größenreduzierung der Gatelänge des Speichertransistors mit schwebendem Körper ermöglicht. By laterally asymmetrically defining the well dopant concentration in a floating body storage transistor, an increased well dopant concentration may be provided at the drain side, while a moderately low concentration may remain in the rest of the floating body region. Consequently, compared to conventional symmetric designs, a reduction in the read/write voltages for switching on the parasitic bipolar transistor may be accomplished, while the increased punch-through immunity may allow further scaling of the gate length of the floating body storage transistor.