Strahlung emittierender Halbleiterchip

Strahlung emittierender Halbleiterchip (1) mit- einer aktiven Zone (2) zur Erzeugung von Strahlung der Wellenlänge λ,- einem strukturierten Bereich (3) mit unregelmäßig angeordneten Strukturelementen, die ein erstes Material mit einem ersten Brechungsindex n1enthalten und die von einem Medium umgebe...

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Main Authors Eichler, Christoph, Dr, Lell, Alfred, Rumbolz, Christian
Format Patent
LanguageGerman
Published 27.10.2022
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Summary:Strahlung emittierender Halbleiterchip (1) mit- einer aktiven Zone (2) zur Erzeugung von Strahlung der Wellenlänge λ,- einem strukturierten Bereich (3) mit unregelmäßig angeordneten Strukturelementen, die ein erstes Material mit einem ersten Brechungsindex n1enthalten und die von einem Medium umgeben sind, das ein zweites Material mit einem zweiten Brechungsindex n2aufweist, wobei- die Dicke einer Zwischenschicht, welche die Strukturelemente und das Medium aufweist, einer maximalen Höhe der Strukturelemente entspricht, wobei für einen effektiven Brechungsindex neff der Zwischenschicht n2 < neff < n1 gilt, dadurch gekennzeichnet, dass- eine Grundflächenbreite g der jeweiligen Strukturelemente kleiner ist als eine Höhe h der jeweiligen Strukturelemente,- der Halbleiterchip einen Streifenlaser mit einem Steg aufweist, und- der strukturierte Bereich an den Flanken des Steges angeordnet ist. The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip, comprising an active zone for generating radiation having a wavelength lambda and a structured region having irregularly arranged structure elements which contain a first material having a first refractive index n1 and which are surrounded by a medium comprising a second material having a second refractive index n2. A method for producing a semiconductor chip of this type is furthermore specified.
Bibliography:Application Number: DE20071063957