Reflexions-CMOS-Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung

• Main Author: PARK, JEONG SU
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 06.06.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

Verfahren, umfassend: Ausbilden einer Kerbe (A) auf einem Halbleitersubstrat (100), wobei die Kerbe (A) eine schräge Oberfläche (220), die in Bezug auf die oberste Oberfläche des Substrats (100) geneigt ist, und eine Lichtempfangsoberfläche (240) aufweist, die senkrecht zur obersten Oberfläche des Halbleitersubstrats ist, wobei das Substrat (100) einen Bauelement bildenden Bereich (B) neben der Lichtempfangsoberfläche (240) aufweist; Ausbilden einer Reflexionsschicht (260) über der schrägen Oberfläche (220); Ausbilden einer Vielzahl von Fotodioden (320, 340, 360), die senkrecht zur obersten Oberfläche des Substrats (100) im Bauelement bildenden Bereich (B) sind; und Ausbilden von mindestens einem MOS-Transistor (400, 420, 440) über dem Bauelement bildenden Bereich (B). A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor including a semiconductor substrate having an inclined groove with an inclined surface and a light reception surface perpendicular to the semiconductor substrate, and a device forming area adjacent the light reception surface. A reflection film selectively formed on and/or over the inclined surface, a plurality of photodiodes substantially perpendicular to the surface of the substrate; and at least one MOS transistor formed on the surface of the device forming area.