Reflexions-CMOS-Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung

• Main Author: PARK, JEONG SU
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 17.04.2008
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ein Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter (CMOS) Bildsensor umfasst ein Halbleitersubstrat, das eine schräge Kerbe mit einer schrägen Oberfläche und einer zum Halbleitersubtrat senkrechten Lichtempfangsoberfläche sowie einen Bauelement bildenden Bereich neben der Lichtempfangsoberfläche aufweist. Eine Reflexionsschicht ist selektiv auf und/oder über der schrägen Oberfläche ausgebildet und eine Vielzahl von Fotodioden ist im Wesentlichen senkrecht zur Oberfläche des Substrats. Und mindestens ein MOS-Transistor ist auf der Oberfläche des Bauelement bildenen Bereichs ausgebildet. A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor including a semiconductor substrate having an inclined groove with an inclined surface and a light reception surface perpendicular to the semiconductor substrate, and a device forming area adjacent the light reception surface. A reflection film selectively formed on and/or over the inclined surface, a plurality of photodiodes substantially perpendicular to the surface of the substrate; and at least one MOS transistor formed on the surface of the device forming area.