Chemisch-mechanisches Polierkissen

• Main Author: Kulp, Mary Jo
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 16.12.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; PERFORMING OPERATIONS; POLISHING; SEMICONDUCTOR DEVICES; TOOLS FOR GRINDING, BUFFING, OR SHARPENING; TRANSPORTING

Polierkissen (10), das zum Planarisieren von mindestens einem von Halbleitersubstraten, optischen Substraten und magnetischen Substraten geeignet ist, wobei das Polierkissen (10) eine polymere Matrix (12) umfasst, wobei die polymere Matrix (12) eine obere Polieroberfläche (14) aufweist, wobei die obere Polieroberfläche (14) polymere Poliervorwölbungen (16) aufweist oder bei/nach einer Konditionierung mit einem Schleifmittel polymere Poliervorwölbungen (16) bildet, wobei sich die polymeren Poliervorwölbungen (16) von der polymeren Matrix (12) erstrecken und ein Abschnitt der oberen Polieroberfläche (14) sind, der ein Substrat während des Polierens kontaktieren kann, wobei das Polierkissen (10) zusätzliche polymere Poliervorwölbungen (16) aus der polymeren Matrix (12) durch einen Verschleiß oder durch Konditionieren der oberen Polieroberfläche (14) bildet, und die polymeren Poliervorwölbungen (16) aus einem polymeren Material mit einer maximalen Zugfestigkeit der Materialmasse von 44,8 bis 96,5 MPa (6500 bis 14000 psi) und einer Reißfestigkeit der Materialmasse von 4,5 × 103bis 13,4 × 103g/mm (250 bis 750 Pfund/Zoll) ausgebildet sind, wobei die polymere Matrix (12) ein Polymer umfasst, das von difunktionellen oder polyfunktionellen Isocyanaten abgeleitet ist und das polymere Polyurethan mindestens eines umfasst, das aus Polyetherharnstoffen, Polyisocyanuraten, Polyurethanen, Polyharnstoffen, Polyurethanharnstoffen, Copolymeren davon und Gemischen davon ausgewählt ist, und wobei die polymere Matrix (12) aus dem Produkt der Umsetzung eines Härtungsmittels und eines Polymers mit Isocyanat-Endgruppen ausgebildet ist, wobei das Härtungsmittel ein Amin-Härtungsmittel enthält, welches das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen härtet, und das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen ein stöchiometrisches Verhältnis von NH2zu NCO von 90 bis 125 % aufweist. The polishing pad is suitable for planarizing at least one of semiconductor, optical and magnetic substrates. The polishing pad includes a polymeric matrix having a top polishing surface; and the top polishing surface has polymeric polishing asperities or forms polymeric polishing asperities upon conditioning with an abrasive. The polymeric polishing asperities extend from the polymeric matrix and represent the portion of the top polishing surface that can contact a substrate during polishing. The polymeric polishing asperities are from a polymeric material having a bulk ultimate tensile strength of at least 6,500 psi (44.8 MPa) and a bulk tear strength of at least 250 lb/in. (4.5x103 g/mm).