Abscheidungsverfahren für ein Dielektrikum mit einem Übergangs-Metall

• Main Authors: KUDELKA, STEPHAN, SCHUMANN, JOERG, SCHROEDER, UWE, SAENGER, ANNETTE, BOESCKE, TIM, HEITMANN, JOHANNES, ERBEN, ELKE, OBERBECK, LARS
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 13.09.2012
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Abscheidungsverfahren für ein Dielektrikum mit einem Übergangs-Metall, mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Substrats mit mindestens einem leitfähigen Abschnitt auf der Oberfläche, wobei der mindestens eine Abschnitt einer obersten Schicht des mindestens einen leitfähigen Abschnitts aus mindestens einem Material der Gruppe von Titanverbindungen, Titannitrid, Kohlenstoff, Tantalnitrid, Tantalkarbid, Wolfram, Ruthenium, Rutheniumoxid, Iridium, Iridiumoxid gebildet wird; aufeinanderfolgendes Anwenden eines ersten Precursors, der eine Übergangs-Metall Verbindung aufweist, und eines zweiten Precursors, der Wasserdampf aufweist, auf den mindestens einen leitfähigen Abschnitt zum Bilden einer ersten Schicht aus einem Übergangsmetall-haltigen Material, wobei ein Dotierstoff zusammen mit dem ersten Precursor angewandt wird, und wobei der DMetall, Titan, Hafnium, Tantal, Barium, Skandium, Yttrium, Lanthan, Niob, Wismut, Calcium und/oder Zerium aufweist; Abscheiden einer aus dem Dotierstoff gebildeten Schicht auf der ersten Schicht aus dem Übergangsmetall-haltigen Material; und aufeinanderfolgendes Anwenden des ersten Precursors und eines dritten Precursors, der Ozon und/oder Sauerstoff aufweist,... Separating a dielectric material with a transition metal comprises providing a substrate (1) with at least a conductive section on the surface; sequentially using a first precursor (3) containing a transition metal compound and a second precursor (4) containing water vapor, ammonia and/or hydrazine, on the conductive section for the formation of a first layer from the transition metal containing material; and sequentially using the first precursor and a third precursor containing ozone and/or oxygen, on the first layer for forming a second layer from the transition metal containing material. Independent claims are included for: (1) a capacitor structure comprising a first electrode formed from titanium, titanium compounds, titanium nitride, carbon, tantalum nitride, tantalum carbide, tungsten, ruthenium, ruthenium oxide, iridium, iridium oxide and/or platinum, at least two dielectric layers (2) of hafnium oxide and/or zirconium oxide, which are doped with a doping agent, a layer, which is formed from a doping agent, that separates the two dielectric layers, and a counter electrode, which is arranged on the second dielectric layer; and (2) a semiconductor storage device comprising multiple storage cells, that respectively exhibits a capacitor structure.