Verfahren zur Bestimmung einer Orientierung eines Kristallgitters eines ersten Substrats relativ zu einem Kristallgitter eines zweiten Substrats

• Main Authors: Zienert, Inka, Kammler, Thorsten, Rinderknecht, Jochen
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 24.08.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

Verfahren mit: Bereitstellen einer Halbleiterstruktur, die ein erstes kristallines Substrat und ein zweites kristallines Substrat umfasst, die aus einem gleichen Material bestehen, das Silizium umfasst, wobei das erste Substrat eine erste Oberfläche aufweist und das zweite Substrat eine zweite Oberfläche aufweist, wobei die zweite Oberfläche parallel zu der ersten Oberfläche ist und sich eine Orientierung der ersten Oberfläche relativ zum Kristallgitter des ersten Substrats von einer Orientierung der zweiten Oberfläche relativ zum Kristallgitter des zweiten Substrats unterscheidet, wobei die erste Oberfläche eine {001}-Oberfläche ist und die zweite Oberfläche eine {011}-Oberfläche ist; Bestrahlen der Halbleiterstruktur mit einer Strahlung, wobei sowohl das erste kristalline Substrat als auch das zweite kristalline Substrat der Strahlung ausgesetzt wird; Messen mindestens eines Beugungsmusters eines Kristallgitters des ersten kristallinen Substrats und eines Kristallgitters des zweiten kristallinen Substrats; und Bestimmen einer relativen Orientierung des Kristallgitters des ersten kristallinen Substrats und des Kristallgitters des zweiten kristallinen Substrats aus dem mindestens einen Beugungsmuster.