Acoustic mirror manufacturing method for e.g. bulk acoustic wave resonator, involves applying planarization layer, and exposing low acoustic layer section by structuring planariztion layer, where section is associated to active area

The method involves producing a low acoustic layer (106b 1) on a high acoustic layer (106a 1) of an acoustic mirror in such a manner that the low acoustic layer partially covers the high acoustic layer. A planarization layer (132) is applied on the layers, and a section of the planarization layer re...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors MARKSTEINER, STEPHAN, FATTINGER, GERNOT, THALHAMMER, ROBERT
Format Patent
LanguageEnglish
German
Published 06.09.2007
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:The method involves producing a low acoustic layer (106b 1) on a high acoustic layer (106a 1) of an acoustic mirror in such a manner that the low acoustic layer partially covers the high acoustic layer. A planarization layer (132) is applied on the layers, and a section of the planarization layer remaining outside of a section of the low acoustic layer is removed for planarizing a structure of the mirror. The low acoustic layer section is exposed by structuring the planariztion layer, where the low acoustic layer section is associated to an active area of a piezoelectric resonator. An independent claim is also included for a method for manufacturing a piezoelectric resonator. Ein Spiegel für einen piezoelektrischen Resonator, bestehend aus alternierend angeordneten Schichten hoher und niedriger akustischer Impedanz, wird hergestellt, in dem zunächst eine erste Schicht (106b1) erzeugt wird, auf dem eine zweite Schicht (106a1) erzeugt wird, so dass die zweite Schicht (106a1) die erste Schicht (106b1) teilweise bedeckt. Dann wird eine Planarisierungsschicht (132) auf die erste Schicht (106b1) und auf die zweite Schicht (106a1) aufgebracht. Nachfolgend wird ein Abschnitt (134) der zweiten Schicht (106a1) durch Strukturieren der Planarisierungsschicht (132) freigelegt, wobei der Abschnitt (134) einem aktiven Bereich des piezoelektrischen Resonators zugeordnet ist. Abschließend wird die sich ergebende Struktur durch Entfernen der außerhalb des Abschnitts (134) verbleibenden Abschnitte (132a, 132b) der Planarisierungsschicht (132) planarisiert.
Bibliography:Application Number: DE20061008721