Verfahren zur Herstellung von Stapelkondensatoren für dynamische Speicherzellen

• Main Authors: KUDELKA, STEPHAN P, WUNNICKE, ODO, MOLL, PETER, JAKSCHIK, STEFAN
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 08.03.2007
• Subjects: ELECTRICITY

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Stapelkondensatoren für dynamische Speicherzellen, bei dem mehrere Gräben (48) in der Maskierungsschicht (40) gebildet werden, wobei jeder Graben (48) über jeweils einem Kontaktstöpsel (26) angeordnet ist und von der Oberseite (42) der Maskierungsschicht (40) zu den Kontaktstöpseln (26) reicht. Eine leitfähige Schicht (50) bedeckt die Seitenwände (49) der Gräben (48) und die Kontaktstöpsel (26), um eine erste Elektrode (60) eines Stapelkondensators (12) zu bilden. In einem oberen dem Kontaktstapel (26) abgewandeten Bereich (63) wird die leitfähige Schicht (50) durch eine isolierende Schicht ersetzt, so dass bei einem eventuellen Anhaften benachbarter Elektroden kein Kurzschluss entstehen kann. A method produces stacked capacitors for dynamic memory cells, in which a number of trenches ( 48 ) are formed in the masking layer ( 40 ), each trench ( 48 ) being arranged above a respective contact plug ( 26 ) and extending from the top ( 42 ) of the masking layer ( 40 ) to the contact plugs ( 26 ). A conductive layer ( 50 ) covers the side walls ( 49 ) of the trenches ( 48 ) and the contact plugs ( 26 ) in order to form a first electrode ( 60 ) of a stacked capacitor ( 12 ). In an upper region ( 63 ), which is remote from the contact stack ( 26 ), the conductive layer ( 50 ) is replaced by an insulating layer, so that it is not possible for a short circuit to arise in the event of any adhesion between adjacent electrodes.