Ions implantation apparatus for use during transistor manufacture, has beam parallelizer to rotate converged/diverged ion beam in synchronization with quadrupole magnet assembly, to implant ions into wafer

• Main Authors: ROUH, KYOUNG-BONG, JIN, SEUNG-WOO, LEE, MIN-YONG
• Format: Patent
• Language: English; German
• Published: 23.03.2006
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A X/Y scanner (22) deflects transmitted ion beam focussed by a quadrupole magnet assembly (21), in both horizontal and vertical directions. A quadrupole magnet assembly (23) converges and diverges the ion beam deflected by scanner in both directions. A beam parallelizer (24) rotates the ion beam in synchronization with the magnet assembly (23), to implant ions into a wafer (25). An independent claim is also included for ions implantation method. Es sind eine Ionenimplantationsvorrichtung und ein Verfahren zum Implantieren von Ionen durch Verwendung derselben offenbart. Das Ionenimplantationsgerät zum Implantieren von Ionen in einen Wafer weist auf: eine erste Quadropolmagnetanordnung zum Fokussieren eines von einer Ionenstrahlquelle transmittierten Ionenstrahls; einen Abtaster zum Ablenken des transmittierten Ionenstrahls in Richtungen einer X-Achse und einer Y-Achse; eine zweite Quadropolmagnetanordnung zum Konvergieren und Divergieren des durch den Abtaster in Richtungen der X-Achsen und der Y-Achsen hindurchgetretenen Ionenstrahls und einen Strahlparallelisierer zum Rotieren des Ionenstrahls in Synchronisation mit der zweiten Quadropolmagnetanordnung, wodurch der Ionenstrahl in den Wafer implantiert wird.