Electronic power charge pump converter switching stage for inductive load, e.g. in vehicle, has first switching transistor which is field effect transistor and it is installed inversely with respect to its usual conducting direction

The electronic power switching stage has a first switching transistor (T12) which is arranged between the positive terminal of the power supply (7) and a first connection (5) of the first inductive working resistance. The first switching transistor is a field effect transistor and it is installed in...

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Main Authors RAINER, OTTO, GASSMANN, ANDREAS, BAUMBACH, JENS
Format Patent
LanguageEnglish
German
Published 06.07.2006
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Summary:The electronic power switching stage has a first switching transistor (T12) which is arranged between the positive terminal of the power supply (7) and a first connection (5) of the first inductive working resistance. The first switching transistor is a field effect transistor and it is installed inversely with respect to its usual conducting direction. Die Erfindung betrifft eine elektronische Leistungsschaltstufe (1) für wenigstens eine induktive Last (L1) mit Ladungspumpfunktion, mit einem ersten Schalttransistor (T12), der zwischen einem Pluspol (7) einer Energieversorgung und einem ersten Anschluss (5) einer induktiven ersten Last (L1) angeordnet ist, mit einem zweiten Schalttransistor (T1), der zwischen einem Masseanschluss (8) und einem zweiten Anschluss (6) der ersten Last (L1) angeordnet ist, mit einem dritten Schalttransistor (T60), der zwischen einem ersten Anschluss (11) eines Ladungsspeichers (C1) und dem ersten Anschluss (5) der ersten Last (L1) angeordnet ist, mit einer ersten Freilaufdiode (D1), die zwischen dem zweiten Anschluss (6) der ersten Last (L1) und dem ersten Anschluss (11) des Ladungsspeichers (C1) angeordnet ist und beim Ausschalten der ersten Last (L1) Ladung dem Ladungsspeicher (C1) zuführt. DOLLAR A Um die Leistungsfähigkeit der Leistungschaltstufe (1) zu verbessern, ist der Schalttransistor (T12) ein bezüglich seiner üblichen Durchleitrichtung invertiert eingebauter Feldeffekttransistor.
Bibliography:Application Number: DE20041060769