Ausgeformte Halbleitervorrichtung

• Main Authors: KATO, NOBUYUKI, HIRANO, NAOHIKO, MIURA, SHOJI, TESHIMA, TAKANORI, SAKAMOTO, YOSHITSUGU, NIIMI, AKIHIRO
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 13.02.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ausgeformte Halbleitervorrichtung, die aufweist: einen mit Harz versiegelten Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterteil, eine Metallschicht (13, 13a-13c), die eine mehrschichtige Metallschicht mit einer ersten Metallschicht (13a) und einer zweiten Metallschicht (13b) ist, eine Lötschicht (14), und ein Metallelement (24), das durch die Metallschicht (13, 13a-13c) und die Lötschicht (14) mit dem Halbleiterchip (1) verbunden ist, wobei die Lötschicht (14) aus einem Lötmaterial besteht, das eine Fließspannung aufweist, die kleiner als diejenige der ersten Metallschicht (13a) in einem Temperaturbereich von -40°C und 150°C ist, die Lötschicht (14) aus einer ternären Sn-Cu-Ni-Legierung besteht, die erste Metallschicht (13a) aus einer ternären Al-Si-Cu-Legierung, einer Al-Cu-Legierung, einer Al-Si-Legierung oder reinem Al besteht, die erste Metallschicht (13a) direkt auf dem Halbleiterchip (1) angeordnet ist, die erste Metallschicht (13a) eine Dicke aufweist, die gleich oder größer als 2 μm ist, die zweite Metallschicht (13b) Nickel enthält, und die zweite Metallschicht (13b) direkt auf der ersten Metallschicht (13a) angeordnet ist. A method for manufacturing a mold type semiconductor device is provided. The device includes a semiconductor chip having a semiconductor part and a metallic member connecting to the chip via a conductive layer and a connecting member. The method includes: forming the semiconductor part on a semiconductor substrate so that a cell portion is provided; forming the conductive layer on the substrate; forming a first resist layer to cover a part of the conductive layer corresponding to the cell portion; etching the conductive layer with the first resist layer as a mask so that a first conductive layer is provided; removing the first resist layer and forming a second conductive layer to cover a surface and an edge of the first conductive layer. The second conductive layer has a Young's modulus equal to or larger than the semiconductor substrate.